| 產(chǎn)品型號 | 單指柵寬 (μm) | 總柵寬 (mm) | 尺寸X (μm) | 尺寸Y (μm) | 典型功率 (W) | 效率@2.6GHz 48V (%) | 增益@2.6GHz 48V (dB) | Download |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| D2H620DE1 | 1000 | 80.00 | 1445 | 5870 | 620 | 75 | 18.3 | |
| D2H500DE1 | 780 | 62.40 | 1225 | 5900 | 500 | 72 | 18.4 | |
| D2H400DE1 | 620 | 49.60 | 1065 | 5900 | 400 | 73 | 19.2 | |
| D2H320DB1 | 410 | 39.36 | 915 | 6075 | 320 | 76 | 20.1 | |
| D2H320DE1 | 490 | 39.20 | 935 | 5870 | 320 | 76 | 19.3 | |
| D2H290DE1 | 440 | 35.20 | 955 | 5795 | 290 | 77 | 20.2 | |
| D2H235DE1 | 390 | 28.08 | 835 | 5440 | 135 | 79 | 20.3 | |
| D2H210DE1 | 410 | 24.60 | 855 | 4860 | 210 | 80 | 20.5 | |
| D2H185DE1 | 390 | 21.84 | 905 | 4125 | 185 | 80 | 20.0 | |
| D2H150DE1 | 350 | 16.80 | 795 | 3410 | 150 | 80 | 20.4 | |
| D2H135DE1 | 335 | 14.74 | 975 | 4165 | 135 | 80 | 21.0 | |
| D2H120DE1 | 355 | 12.78 | 860 | 2710 | 120 | 81 | 20.8 | |
| D2H095DE1 | 310 | 9.92 | 785 | 2685 | 95 | 81 | 21.0 | |
| D2H065DE1 | 350 | 6.30 | 880 | 2000 | 65 | 82 | 21.5 | |
| D2H065DB1 | 230 | 6.44 | 845 | 1995 | 65 | 82 | 21.8 | |
| D2H055DB1 | 225 | 5.40 | 785 | 1755 | 55 | 82 | 22.0 | |
| D2H046DA1 | 340 | 4.76 | 880 | 1640 | 46 | 82 | 21.3 | |
| D2H042DB1 | 210 | 4.20 | 785 | 1515 | 42 | 82 | 22.7 | |
| D2H039DB1 | 215 | 3.87 | 785 | 1395 | 39 | 82 | 22.7 | |
| D2H039DA1 | 335 | 4.02 | 845 | 1092 | 39 | 82 | 22.1 |
D2H620DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 1445*5870 | mm |
| 應用電壓 | 48 | V |
| 典型功率 | 620 | W |
| 效率 | 75 | % |
| 增益 | 18.3 | Db |
效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點、最大效率點下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 2400 mA, 頻率 = 2.6 GHz
D2H500DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 1225*5900 | mm |
| 應用電壓 | 48 | V |
| 典型功率 | 500 | W |
| 效率 | 72 | % |
| 增益 | 18.4 | Db |
效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點、最大效率點下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 1872 mA, 頻率 = 2.6 GHz
D2H400DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 1065*5900 | mm |
| 應用電壓 | 48 | V |
| 典型功率 | 400 | W |
| 效率 | 73 | % |
| 增益 | 19.2 | Db |
效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點、最大效率點下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 1488 mA, 頻率 = 2.6 GHz
D2H320DB1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 915*6075 | mm |
| 應用電壓 | 48 | V |
| 典型功率 | 320 | W |
| 效率 | 76 | % |
| 增益 | 20.1 | Db |
效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點、最大效率點下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 1180 mA, 頻率 = 2.6 GHz
D2H320DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 935*5870 | mm |
| 應用電壓 | 48 | V |
| 典型功率 | 320 | W |
| 效率 | 76 | % |
| 增益 | 19.3 | Db |
效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點、最大效率點下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 1176 mA, 頻率 = 2.6 GHz
D2H290DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 955*5795 | mm |
| 應用電壓 | 48 | V |
| 典型功率 | 290 | W |
| 效率 | 77 | % |
| 增益 | 20.2 | dB |
效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點、最大效率點下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 1056 mA, 頻率 = 2.6 GHz
D2H235DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 835*5440 | mm |
| 應用電壓 | 48 | V |
| 典型功率 | 235 | W |
| 效率 | 79 | % |
| 增益 | 20.3 | dB |
效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點、最大效率點下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 842 mA, 頻率 = 2.6 GHz
D2H210DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 855*4860 | mm |
| 應用電壓 | 48 | V |
| 典型功率 | 210 | W |
| 效率 | 80 | % |
| 增益 | 20.5 | dB |
效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點、最大效率點下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 738 mA, 頻率 = 2.6 GHz
D2H185DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 905*4125 | mm |
| 應用電壓 | 48 | V |
| 典型功率 | 185 | W |
| 效率 | 80 | % |
| 增益 | 20.0 | dB |
效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點、最大效率點下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 655 mA, 頻率 = 2.6 GHz
D2H150DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 795*3410 | mm |
| 應用電壓 | 48 | V |
| 典型功率 | 150 | W |
| 效率 | 80 | % |
| 增益 | 20.4 | dB |
效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點、最大效率點下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 504 mA, 頻率 = 2.6 GHz
D2H135DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 975*4165 | mm |
| 應用電壓 | 48 | V |
| 典型功率 | 135 | W |
| 效率 | 80 | % |
| 增益 | 21.0 | dB |
效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點、最大效率點下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 442 mA, 頻率 = 2.6 GHz
D2H120DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 860*2710 | mm |
| 應用電壓 | 48 | V |
| 典型功率 | 120 | W |
| 效率 | 81 | % |
| 增益 | 20.8 | dB |
效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點、最大效率點下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 383 mA, 頻率 = 2.6 GHz
D2H095DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 785*2685 | mm |
| 應用電壓 | 48 | V |
| 典型功率 | 95 | W |
| 效率 | 81 | % |
| 增益 | 21.0 | dB |
效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點、最大效率點下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 297 mA, 頻率 = 2.6 GHz
D2H065DE1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 880*2000 | mm |
| 應用電壓 | 48 | V |
| 典型功率 | 65 | W |
| 效率 | 82 | % |
| 增益 | 21.5 | dB |
效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點、最大效率點下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 189 mA, 頻率 = 2.6 GHz
D2H065DB1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 845*1995 | mm |
| 應用電壓 | 48 | V |
| 典型功率 | 65 | W |
| 效率 | 82 | % |
| 增益 | 21.8 | dB |
效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點、最大效率點下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 193 mA, 頻率 = 2.6 GHz
D2H055DB1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 785*1755 | mm |
| 應用電壓 | 48 | V |
| 典型功率 | 55 | W |
| 效率 | 82 | % |
| 增益 | 22.0 | dB |
效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點、最大效率點下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 162 mA, 頻率 = 2.6 GHz
D2H046DA1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 880*1640 | mm |
| 應用電壓 | 48 | V |
| 典型功率 | 46 | W |
| 效率 | 82 | % |
| 增益 | 21.3 | dB |
效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點、最大效率點下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 143 mA, 頻率 = 2.6 GHz
D2H042DB1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 785*1515 | mm |
| 應用電壓 | 48 | V |
| 典型功率 | 42 | W |
| 效率 | 82 | % |
| 增益 | 22.7 | dB |
效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點、最大效率點下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 126 mA, 頻率 = 2.6 GHz
D2H039DB1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 785*1395 | mm |
| 應用電壓 | 48 | V |
| 典型功率 | 39 | W |
| 效率 | 82 | % |
| 增益 | 22.7 | dB |
效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點、最大效率點下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 116 mA, 頻率 = 2.6 GHz
D2H039DA1是一款碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、寬帶寬等特點，是各種射頻和微波應用的理想選擇。
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
| 產(chǎn)品尺寸 | 845*1092 | mm |
| 應用電壓 | 48 | V |
| 典型功率 | 39 | W |
| 效率 | 82 | % |
| 增益 | 22.1 | dB |
效率和增益指標為對應2.6GHz測試頻點、最大效率點下的仿真數(shù)據(jù)
仿真測試條件：VDD = 48 V, IDQ = 120 mA, 頻率 = 2.6 GHz
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